AH3663, Micropotencia, IC Hall, IC de efecto Hall, Sensor

Información básica.

N º de Modelo.	AH3663
Teoría	Sensor magnético
Producción	Sensor de conmutación
Paquete de transporte	Bolsa de plastico
Especificación	ROHS, ALCANCE
Marca comercial	AHNJ
Origen	Porcelana
Código hs	8542319000
Capacidad de producción	100, 000, 000PCS/año

Descripción del Producto

Características
Diseño de micropotencia.
Tensión de alimentación nominal 2,4 V ~ 5,5 V;
Funcionamiento omnipolar, sin polo "N" o "S" en el campo magnético de excitación, alta sensibilidad magnética, alta simetría en el punto de conmutación magnético positivo y negativo.
Circuito de compensación de voltaje de desequilibrio dinámico incorporado, estabilidad de alta temperatura, pequeña deriva de temperatura en el punto de conmutación, resistente al estrés mecánico y al estrés térmico, el consumo de energía es de solo 8 μW, cuando la fuente de alimentación es de 2,75 V.
Los productos cumplen con la instrucción RoHS de la UE 2011/65/UE y los requisitos de la UE y REACH 1907/2006/UE.
Describir
AH3662 es un tipo de sensor Hall de micropotencia omnipolar de alta sensibilidad. El circuito de diseño especial permite que el sensor tenga una función de excitación de campo magnético omnipolar (sin polo "S" o "N"), una excelente simetría de interruptor positivo y negativo y una corriente de consumo de energía promedio pequeña. Cuando el imán (sin polo "S" o "N") está cerrado al sensor (∣B∣≥∣Bop∣), el sensor genera un nivel bajo; cuando el imán está lejos del sensor ∣B∣≤∣Brp∣), el sensor genera un nivel alto. La histéresis estable (Bhx =∣Bopx- Brpx∣) garantiza el estado del interruptor estable del sensor; la curva característica de transferencia magnética y eléctrica del sensor se muestra en la figura:
El chip del sensor tiene reguladores de voltaje, generador de voltaje Hall, compensador de voltaje de desequilibrio dinámico, controlador de activación/suspensión, amplificador de diferencia, disparador Schmitt, controlador lógico y unidad de circuito de controlador de salida de colector abierto, etc.
Período de sueño
El chip tiene un circuito de control de reloj de vigilia/sueño incorporado, y el tiempo del período de vigilia/sueño se muestra en la figura.

Parámetro límite

Parámetro	símbolo	Mín.	Máx.	Unidad
Temperatura de almacenamiento.	ts	-55	150	ºC
Tensión de alimentación	VCC	2.4	7	V
Consumo de energía permitido	pagd	-	300	mW
Inducción magnética	B	ilimitado	ilimitado	monte
Corriente de salida	Ioh	-	5	mamá

Grado electrostático
En el modo humano, la compresión electrostática es superior a ±6 kV.

Condición de uso

Parámetro	Símbolo	Mín.	Máx.	Unidad
Tensión de alimentación	VCC	2.4	5.5	V
Temperatura de funcionamiento.	ta	-40	85	ºC
Corriente de salida	Ioh	-	5	mamá

EléctricoCaracterísticas

Parámetros	Símbolo	Condición de prueba	Tipo.		máx.		Unidad
Nivel bajo de salida	VOL	VCC1=VCC2=2,75 V,Ioh=1mA,B≥BOP	0.1		0,25		V
Corriente de consumo de energía despierto	IAWK	Despierto,VCC1= 2,75 V,VohCircuito abierto	3	5		mamá
Corriente de consumo de energía en suspensión	ISLP	Dormir,VCC1= 2,75 V,VohCircuito abierto	2		4		µA
Consumo de energía promedio actual	IAVG	VCC1= 2,75 V,VohCircuito abierto	6		9		µA
tiempo despierto	tAWV	VCC1= 4V,RL=200Ω,VohCircuito abierto	125		150		μs
Período	tPAG	VCC1= 4V,RL=200Ω,voCircuito abierto	60		80		EM
factor de trabajo	Fd	VCC1= 4V,RL=200Ω,VohCircuito abierto	0.1		-		%

Característica magnética
Condición de prueba: VCC1 = VCC2 = 2,75 V, IO = 1 mA

Parámetro	Símbolo	Mín.	Tipo.	Máx.
Punto de operación del polo S	BOPS	-	3	4
Punto de operación del Polo Norte	BOPN	-4	-3	-
Punto de liberación del poste S	BRPS	0,5	1.5	-
Punto de liberación del polo norte	BRPN	-	-1,5	-0,5
Histéresis ∣BOPX- BRPX∣	BHX	-	1	2

Nota 1: La unidad es mT, 1mT=10Gs
Nota 2: Cuando el polo "S" del campo magnético es vertical a la marca frontal del producto, llamamos al campo magnético B>0.